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IGBT onsemi, VCE 1200 V, IC 100 A, canale N, TO-247


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N. Articolo:
     3369E-1238830
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     NGTB25N120FL3WG
EAN/GTIN:
     5059042704020
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
Transistor di potenza
Transistori
Transistore
IGBT discreto, ON Semiconductor. Transistor bipolari a gate isolato (IGBT) per azionamenti e altre applicazioni di commutazione con correnti elevate.
Altre informazioni:
Corrente massima continuativa collettore:
100 A
Tensione massima collettore emitter:
1200 V
Tensione massima gate emitter:
±20V
Dissipazione di potenza massima:
349 W
Tipo di package:
TO-247
Tipo di montaggio:
Su foro
Tipo di canale:
N
Numero pin:
3
Velocità di switching:
1MHz
Configurazione transistor:
Singolo
Dimensioni:
16.25 x 5.3 x 21.4mm
Capacità del gate:
3085pF
Massima temperatura operativa:
+175 °C
Minima temperatura operativa:
-55 °C
Altri termini di ricerca: transistor igbt, 1238830, Semiconduttori, Discreti, IGBT, onsemi, NGTB25N120FL3WG
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Accessori
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FK245MI247V
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