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MOSFET onsemi, canale N, 7 mΩ, 75 A, TO-220AB, Su foro


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N. Articolo:
     3369E-1241407
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     HUF75545P3
EAN/GTIN:
     5059042138511
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
MOSFET UltraFET®, Fairchild Semiconductor. I MOSFET Trench UItraFET® combinano caratteristiche che garantiscono un'elevata efficienza nelle applicazioni di conversione di potenza. Il dispositivo è in grado di sopportare un'energia elevata nella modalità a valanga e il diodo mostra un tempo di recupero inverso e una carica immagazzinata molto bassi. Ottimizzato per garantire efficienza alle alte frequenze, una bassissima resistenza RDS(on), una bassa ESR e una carica di gate totale e Miller bassa. Applicazioni in convertitori c.c./c.c. ad alta frequenza, regolatori switching, azionamenti per motori, switch bus a bassa tensione e gestione dell'alimentazione.
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
75 A
Tensione massima drain source:
55 V
Tipo di package:
TO-220AB
Serie:
UltraFET
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
7 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate minima:
2V
Dissipazione di potenza massima:
325 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
10.67mm
Massima temperatura operativa:
+175 °C
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, 1241407, Semiconduttori, Discreti, onsemi, HUF75545P3
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