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Articolo
MOSFET onsemi, canale N, 41 mΩ, 76 A, TO-247, Su foro
Quantità:
pezzo
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N. Articolo:
3369E-1241458
Produttore:
onsemi
N. Art. Produtt.:
FCH041N60F
EAN/GTIN:
5059042096484
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
MOSFET a canale N SuperFET® e SuperFET® II, Fairchild Semiconductor. Fairchild ha aggiunto ai propri prodotti la famiglia di MOSFET di potenza ad alta tensione SuperFET® II che utilizza la Tecnologia Super Junction. Offre un diodo integrato dalle prestazioni solide e migliori della categoria nelle applicazioni con alimentatori switching c.a.-c.c. come server, telecomunicazioni, informatica, alimentatori industriali, UPS/ESS, inverter solari, applicazioni di illuminazione, che richiedono un'elevata densità di potenza, efficienza del sistema e affidabilità. Grazie a un'avanzata tecnologia di bilanciamento della carica, i progettisti possono realizzare soluzioni più efficienti e ad alte prestazioni che richiedono meno spazio su scheda e migliorano l'affidabilità.
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
76 A
Tensione massima drain source:
600 V
Tipo di package:
TO-247
Serie:
SuperFET II
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
41 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate minima:
3V
Dissipazione di potenza massima:
595 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-30 V, +30 V
Lunghezza:
15.87mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
... >
Semiconduttori
>
Discreti
>
Mosfet
Altri termini di ricerca:
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MOSFET
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transistor a effetto campo
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1241458
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Semiconduttori
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Discreti
,
onsemi
,
FCH041N60F
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