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Transistor di potenza
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Articolo
MOSFET onsemi, canale N, 22 mΩ, 50 A, TO-220AB, Su foro
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
3369E-1241672
Produttore:
onsemi
N. Art. Produtt.:
RFP50N06
EAN/GTIN:
5059042139907
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
MOSFET MegaFET, Fairchild Semiconductor. Il processo MegaFET, che utilizza dimensioni strutturali simili a quelle dei circuiti integrati LSI, offre un utilizzo ottimale del silicio, che si traduce in eccellenti prestazioni.
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
50 A
Tensione massima drain source:
60 V
Tipo di package:
TO-220AB
Serie:
MegaFET
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
22 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate minima:
2V
Dissipazione di potenza massima:
131 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
10.67mm
Massima temperatura operativa:
+175 °C
... >
Semiconduttori
>
Discreti
>
Mosfet
Altri termini di ricerca:
Transistori
,
Transistore
,
transistor di potenza
,
1241672
,
Semiconduttori
,
Discreti
,
onsemi
,
RFP50N06
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