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MOSFET onsemi, canale N, 25 mΩ, 56 A, TO-220AB, Su foro


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N. Articolo:
     3369E-1241674
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     HUF75639P3
EAN/GTIN:
     5059042714395
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
MOSFET UltraFET®, Fairchild Semiconductor. I MOSFET Trench UItraFET® combinano caratteristiche che garantiscono un'elevata efficienza nelle applicazioni di conversione di potenza. Il dispositivo è in grado di sopportare un'energia elevata nella modalità a valanga e il diodo mostra un tempo di recupero inverso e una carica immagazzinata molto bassi. Ottimizzato per garantire efficienza alle alte frequenze, una bassissima resistenza RDS(on), una bassa ESR e una carica di gate totale e Miller bassa. Applicazioni in convertitori c.c./c.c. ad alta frequenza, regolatori switching, azionamenti per motori, switch bus a bassa tensione e gestione dell'alimentazione.
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
56 A
Tensione massima drain source:
100 V
Tipo di package:
TO-220AB
Serie:
UltraFET
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
25 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate minima:
2V
Dissipazione di potenza massima:
200 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
10.67mm
Massima temperatura operativa:
+175 °C
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor di potenza, 1241674, Semiconduttori, Discreti, onsemi, HUF75639P3
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