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MOSFET onsemi, canale N, 6 Ω, 170 mA, SOT-23, Montaggio superficiale


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N. Articolo:
     3369E-1241693
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     BSS123
EAN/GTIN:
     5059042021981
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
MOSFET a canale N PowerTrench® fino a 9,9A, Fairchild Semiconductor
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
170 mA
Tensione massima drain source:
100 V
Tipo di package:
SOT-23
Serie:
PowerTrench
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
6 Ω
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate minima:
0.8V
Dissipazione di potenza massima:
360 mW
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
2.92mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Altri termini di ricerca: MOSFET di potenza, Transistor di potenza, MOSFET, SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, 1241693, Semiconduttori, Discreti, onsemi, BSS123
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