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Transistori
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Transistor a effetto campo
>
Articolo
MOSFET onsemi, canale N, 250 mΩ, 2,5 A, WDFN, Montaggio superficiale
Quantità:
pacchetto
Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
3369E-1245405
Produttore:
onsemi
N. Art. Produtt.:
NTLJD4116NT1G
EAN/GTIN:
5059042720976
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
MOSFET a canale doppio N, ON Semiconductor
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
2,5 A
Tensione massima drain source:
30 V
Tipo di package:
WDFN
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
6
Resistenza massima drain source:
250 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
1V
Dissipazione di potenza massima:
2,3 W
Tensione massima gate source:
-8 V, +8 V
Lunghezza:
2mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Numero di elementi per chip:
2
Materiale del transistor:
Si
... >
Semiconduttori
>
Discreti
>
Mosfet
Altri termini di ricerca:
transistor a effetto campo
,
1245405
,
Semiconduttori
,
Discreti
,
onsemi
,
NTLJD4116NT1G
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