MOSFET Infineon, canale N, 9,9 mΩ, 80 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

MOSFET di potenza OptiMOS™3 Infineon, da 60 a 80 V. I prodotti OptiMOS™ sono disponibili in pacchetti ad alte prestazioni per lavorare con la maggior parte delle applicazioni difficili poiché forniscono flessibilità in spazi ristretti. Questi prodotti Infineon sono ideati per soddisfare e superare i requisiti di rendimento energetico e di densità di potenza degli altissimi standard di regolazione della prossima generazione nelle applicazioni informatiche. MOSFET a commutazione rapida per alimentatori switching Tecnologia ottimizzata per i convertitori CC/CC Certificato in conformità alla norma JEDEC1) per le applicazioni di destinazione Canale N, livello logico Prodotto con un'eccellente carica di gate R DS(on) (FOM) Resistenza R DS(on) molto bassa Placcatura senza piombo