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Diodo Infineon, Su foro, 31.9A, 1200V, TO-220, Diodo Schottky
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pezzo
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N. Articolo:
3369E-1338556
Produttore:
Infineon
N. Art. Produtt.:
IDH10G120C5XKSA1
EAN/GTIN:
5059043048659
Termini di ricerca:
Diodi
Diodo
Raddrizzatori
Raddrizzatore
thinQ! Diodo Schottky al carburo di silicio (SiC), Infineon. Il modello Infineon thinQ!™ Generation 5 offre una nuova tecnologia a lamelle sottili per diodi a barriera Schottky SiC che migliorano le caratteristiche termiche. Il diodo Schottky SiC offre vantaggiose caratteristiche per semiconduttori di potenza ad alta tensione, come ad esempio forza di campo ad apertura superiore e conduttività termica, consentendo superiori livelli di efficienza. Questa ultima generazione è adatta all'uso nelle telecomunicazioni SMPS e server high-end, sistemi UPS, azionamenti, inverter solari, nonché PC Silverbox e applicazioni di illuminazione. EMI ridotte
Altre informazioni:
Tipo di montaggio:
Su foro
Tipo di package:
TO-220
Corrente massima continuativa di forward:
31.9A
Picco della tensione ripetitiva inversa:
1200V
Configurazione diodi:
Singolo
Rettificatore:
Diodo Schottky
Diodo:
SiC Schottky
Numero pin:
2 + Tab
Caduta di tensione diretta massima:
2.6V
Numero di elementi per chip:
1
Tecnologia del diodo:
SiC Schottky
Corrente di picco su surge non ripetitiva:
99A
... >
Semiconduttori
>
Discreti
>
Diodi Schottky e rettificatori
Altri termini di ricerca:
Diodo raddrizzatore
,
Diodi raddrizzatori
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Diodo Schottky
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diodo raddrizzatore
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1338556
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Semiconduttori
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Discreti
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Diodi Schottky e rettificatori
,
Infineon
,
IDH10G120C5XKSA1
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