Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
3369E-1339873 N. Art. Produtt.:
IGW30N60TPXKSA1 EAN/GTIN:
5059043601366 |
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| Transistor IGBT TrenchStop Infineon, da 600 e 650 V. Una gamma di transistor IGBT di Infineon con valori nominali della tensione collettore-emettitore di 600 e 650 V dotati della tecnologia TrenchStop™. La gamma comprende dispositivi con un diodo integrato anti-parallelo ad alta velocità, a recupero rapido. Gamma di tensione del collettore-emettitore: da 600 a 650 V VCEsat molto bassa Poche perdite di spegnimento Bassa corrente di coda EMI ridotte Temperatura di giunzione massima: 175 °C Altre informazioni: | | Corrente massima continuativa collettore: | 53 A | Tensione massima collettore emitter: | 600 V | Tensione massima gate emitter: | ±20V | Dissipazione di potenza massima: | 200 W | Numero di transistor: | 1 | Tipo di package: | TO-247 | Tipo di montaggio: | Su foro | Tipo di canale: | N | Numero pin: | 3 | Velocità di switching: | 30kHz | Configurazione transistor: | Singolo | Dimensioni: | 16.13 x 5.21 x 21.1mm | Classe di efficienza energetica: | 1.13mJ | Capacità del gate: | 1050pF | Massima temperatura operativa: | +175 °C |
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| Altri termini di ricerca: transistor igbt, 1339873, Semiconduttori, Discreti, IGBT, Infineon, IGW30N60TPXKSA1 |
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| | Riepilogo condizioni1 | | | | Tempi di consegna | Stato magazzino | Prezzo | | | | | | | | a partire da € 3,092* | | | | Il prezzo è valido a partire da 7.500 pacchetti | | | | | | 1 pacchetto contiene 2 pezzi (a partire da € 1,546* per pezzo) | | | | | Scegli condizioni | | | | | | | | Prezzi progressivi | | Quantità di ordine | Netto | Lordo | Unità | | | | | | | | | | a partire da 10 pacchetti | | | | a partire da 20 pacchetti | | | | a partire da 25 pacchetti | | | | a partire da 50 pacchetti | | | | a partire da 100 pacchetti | | | | a partire da 7500 pacchetti | | | |
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