Diodo Infineon, Su foro, 22.8A, 1200V, TO-220, Diodo Schottky

thinQ! Diodo Schottky al carburo di silicio (SiC), Infineon. Il modello Infineon thinQ!™ Generation 5 offre una nuova tecnologia a lamelle sottili per diodi a barriera Schottky SiC che migliorano le caratteristiche termiche. Il diodo Schottky SiC offre vantaggiose caratteristiche per semiconduttori di potenza ad alta tensione, come ad esempio forza di campo ad apertura superiore e conduttività termica, consentendo superiori livelli di efficienza. Questa ultima generazione è adatta all'uso nelle telecomunicazioni SMPS e server high-end, sistemi UPS, azionamenti, inverter solari, nonché PC Silverbox e applicazioni di illuminazione. EMI ridotte