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IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 80 A, canale N, TO-247


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N. Articolo:
     3369E-1441203
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IKW75N65ES5XKSA1
EAN/GTIN:
     5059043694672
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
Transistor IGBT TrenchStop Infineon, da 600 e 650 V. Una gamma di transistor IGBT di Infineon con valori nominali della tensione collettore-emettitore di 600 e 650 V dotati della tecnologia TrenchStop™. La gamma comprende dispositivi con un diodo integrato anti-parallelo ad alta velocità, a recupero rapido. Gamma di tensione del collettore-emettitore: da 600 a 650 V VCEsat molto bassa Poche perdite di spegnimento Bassa corrente di coda EMI ridotte Temperatura di giunzione massima: 175 °C
Altre informazioni:
Corrente massima continuativa collettore:
80 A
Tensione massima collettore emitter:
650 V
Tensione massima gate emitter:
±20 V, ±30V
Dissipazione di potenza massima:
395 W
Numero di transistor:
1
Tipo di package:
TO-247
Tipo di montaggio:
Su foro
Tipo di canale:
N
Numero pin:
3
Velocità di switching:
30kHz
Configurazione transistor:
Singolo
Dimensioni:
16.13 x 5.21 x 21.1mm
Classe di efficienza energetica:
3.35mJ
Capacità del gate:
4500pF
Massima temperatura operativa:
+175 °C
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor igbt, 1441203, Semiconduttori, Discreti, IGBT, Infineon, IKW75N65ES5XKSA1
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