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MOSFET Vishay, canale N, 125 mΩ, 29 A, TO247AC, Su foro


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N. Articolo:
     3369E-1452157
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SIHG30N60E-GE3
EAN/GTIN:
     5059040804685
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
MOSFET di potenza
Transistor di potenza
MOSFET a canale N, serie E, bassa figura di merito, Vishay Semiconductor. I MOSFET di potenza serie E di Vishay sono transistori ad alta tensione con resistenza massima ultra-bassa, bassa figura di merito e commutazione rapida. Sono disponibili in un'ampia gamma di correnti nominali. Le applicazioni tipiche includono server e alimentatori di telecomunicazione, illuminazione a LED, convertitori flyback, correzione del fattore di potenza (PFC) e alimentatori switching (SMPS). Caratteristiche. Bassa figura di merito (FOM) RDS(on) x Qg Bassa capacità di ingresso (Ciss) Bassa resistenza (RDS(on)) Carica del gate ultrabassa (Qg) Commutazione rapida Perdite di conduzione e commutazione ridotte
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
29 A
Tensione massima drain source:
600 V
Tipo di package:
TO247AC
Serie:
E Series
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
125 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate minima:
2V
Dissipazione di potenza massima:
250 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
15.87mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Altri termini di ricerca: MOSFET, transistor a effetto campo, 1452157, Semiconduttori, Discreti, Vishay, SIHG30N60EGE3
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