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Transistor di potenza
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Articolo
IGBT onsemi, VCE 650 V, IC 40 A, canale N, TO-3PN
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
3369E-1454447
Produttore:
onsemi
N. Art. Produtt.:
FGA40N65SMD
EAN/GTIN:
5059042689006
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
IGBT discreti, Fairchild Semiconductor
Altre informazioni:
Corrente massima continuativa collettore:
40 A
Tensione massima collettore emitter:
650 V
Tensione massima gate emitter:
±20V
Dissipazione di potenza massima:
349 W
Tipo di package:
TO-3PN
Tipo di montaggio:
Su foro
Tipo di canale:
N
Numero pin:
3
Configurazione transistor:
Singolo
Dimensioni:
16.2 x 5 x 20.1mm
Massima temperatura operativa:
+175 °C
Minima temperatura operativa:
-55 °C
... >
Semiconduttori
>
Discreti
>
IGBT
Altri termini di ricerca:
Transistori
,
Transistore
,
transistor igbt
,
1454447
,
Semiconduttori
,
Discreti
,
IGBT
,
onsemi
,
FGA40N65SMD
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