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Raddrizzatore, diodi, transistori
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Transistori
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Transistor di potenza
>
Articolo
MOSFET onsemi, canale N, 13 mΩ, 76 A, TO-220, Su foro
Quantità:
pacchetto
Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
3369E-1455219
Produttore:
onsemi
N. Art. Produtt.:
NTP6410ANG
EAN/GTIN:
5059042222135
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
MOSFET di potenza a canale N, da 100 V a 1700 V, ON Semiconductor
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
76 A
Tensione massima drain source:
100 V
Tipo di package:
TO-220
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
13 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
4V
Dissipazione di potenza massima:
188 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
10.28mm
Massima temperatura operativa:
+175 °C
Numero di elementi per chip:
1
... >
Semiconduttori
>
Discreti
>
Mosfet
Altri termini di ricerca:
1455219
,
Semiconduttori
,
Discreti
,
onsemi
,
NTP6410ANG
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