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Articolo
IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 30 A, canale N, TO-220
Quantità:
pacchetto
Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
3369E-1459180
Produttore:
Infineon
N. Art. Produtt.:
IKP15N65F5XKSA1
EAN/GTIN:
5059043696683
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
Transistor di potenza
Transistori
Transistore
Transistor IGBT TrenchStop Infineon, da 600 e 650 V. Una gamma di transistor IGBT di Infineon con valori nominali della tensione collettore-emettitore di 600 e 650 V dotati della tecnologia TrenchStop™. La gamma comprende dispositivi con un diodo integrato anti-parallelo ad alta velocità, a recupero rapido. Gamma di tensione del collettore-emettitore: da 600 a 650 V VCEsat molto bassa Poche perdite di spegnimento Bassa corrente di coda EMI ridotte Temperatura di giunzione massima: 175 °C
Altre informazioni:
Corrente massima continuativa collettore:
30 A
Tensione massima collettore emitter:
650 V
Tensione massima gate emitter:
±20V
Dissipazione di potenza massima:
105 W
Tipo di package:
TO-220
Tipo di montaggio:
Su foro
Tipo di canale:
N
Numero pin:
3
Configurazione transistor:
Singolo
Dimensioni:
10.36 x 4.57 x 15.95mm
Classe di efficienza energetica:
0.17mJ
Capacità del gate:
930pF
Massima temperatura operativa:
+175 °C
Minima temperatura operativa:
-40 °C
... >
Semiconduttori
>
Discreti
>
IGBT
Altri termini di ricerca:
transistor igbt
,
1459180
,
Semiconduttori
,
Discreti
,
IGBT
,
Infineon
,
IKP15N65F5XKSA1
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