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IGBT IXYS, VCE 1700 V, IC 100 A, TO247AD


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N. Articolo:
     3369E-1464252
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXYH30N170C
EAN/GTIN:
     5059041643542
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
Gli IGBT IXYS XPT (eXtreme-light Punch Through) con correnti nominali da 29 A a 178 A sono particolarmente adatti per applicazioni di conversione ad alta tensione e ad alta velocità. Progettati utilizzando la tecnologia brevettata a lamelle sottili XPT e il processo di IGBT allavanguardia, questi dispositivi vantano qualità come una resistenza termica ridotta, bassa corrente di coda, bassa perdita di energia e capacità di commutazione ad alta velocità. Inoltre, grazie al coefficiente di temperatura positivo della tensione in stato attivo, i nuovi IGBT ad alta tensione possono essere usati in parallelo, il che offre una soluzione più economica rispetto a quelle dei dispositivi a tensione inferiore collegati in serie.Tecnologia a lamelle sottili XPT Tensioni basse in stato attivo VCE(sat) Diodi a recupero rapido confezionati Coefficiente di temperatura positivo VCE(sat) Elevata efficienza Maggiore affidabilità dei sistemi di alimentazione Applicazioni Circuiti di generatori di impulsi Laser e generatori di raggi X Alimentatori ad alta tensione Apparecchiature di test ad alta tensione Circuiti di scarica del condensatore Interruttori c.a.
Altre informazioni:
Corrente massima continuativa collettore:
100 A
Tensione massima collettore emitter:
1700 V
Tensione massima gate emitter:
±20 V, ±30V
Dissipazione di potenza massima:
937 W
Numero di transistor:
1
Tipo di package:
TO247AD
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
3
Configurazione transistor:
Singolo
Dimensioni:
16.13 x 5.21 x 21.34mm
Massima temperatura operativa:
+175 °C
Minima temperatura operativa:
-55 °C
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor igbt, 1464252, Semiconduttori, Discreti, IGBT, IXYS, IXYH30N170C
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