Informazioni sul prodotto | ![](/p.gif) |
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| N. Articolo: 3369E-1464362 N. Art. Produtt.: IXYX25N250CV1HV EAN/GTIN: 5059041642019 |
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![](/p.gif) | Tecnologia a lamelle sottili XPT™ Tensioni basse in stato attivo VCE(sat) Diodi a recupero rapido confezionati Coefficiente di temperatura positivo VCE(sat) Pacchetti per alta tensione con standard internazionale Maggiore efficienza Eliminazione di più dispositivi collegati in serie Maggiore affidabilità dei sistemi di alimentazione Circuiti di generatori di impulsi Laser e generatori di raggi X Alimentatori ad alta tensione Apparecchiature di test ad alta tensione Circuiti di scarica del condensatore Interruttori c.a. Altre informazioni: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Corrente massima continuativa collettore: | 95 A | Tensione massima collettore emitter: | 2500 V | Tensione massima gate emitter: | ±20 V, ±30V | Dissipazione di potenza massima: | 937 W | Numero di transistor: | 1 | Tipo di package: | PLUS247 | Tipo di montaggio: | Su foro | Numero pin: | 3 | Configurazione transistor: | Singolo | Dimensioni: | 16.13 x 5.21 x 21.34mm | Massima temperatura operativa: | +175 °C | Minima temperatura operativa: | -55 °C |
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![](/p.gif) | Altri termini di ricerca: transistor igbt, 1464362, Semiconduttori, Discreti, IGBT, IXYS, IXYX25N250CV1HV |
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