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MOSFET DiodesZetex, canale N, 28 mΩ, 7,6 A, SOIC, Montaggio superficiale


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N. Articolo:
     3369E-1464666
Produttore:
     Diodes
N. Art. Produtt.:
     DMTH6016LSD-13
EAN/GTIN:
     5059043687827
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
MOSFET doppio a canale N, Diodes Inc.
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
7,6 A
Tensione massima drain source:
60 V
Tipo di package:
SOIC
Serie:
DMT
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
8
Resistenza massima drain source:
28 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
2.5V
Tensione di soglia gate minima:
1V
Dissipazione di potenza massima:
1,4 W
Tensione massima gate source:
±20 V
Lunghezza:
4.95mm
Massima temperatura operativa:
+175 °C
Altri termini di ricerca: SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, smd transistor, 1464666, Semiconduttori, Discreti, DiodesZetex, DMTH6016LSD13
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