MOSFET Nexperia, canale P, 3,5 Ω, 500 mA, DFN1010B-6, Montaggio superficiale

MOSFET a canale P. La soluzione perfetta per il proprio progetto quando i canali N semplicemente non sono idonei. La nostra ampia scelta di MOSFET include anche molte famiglie di dispositivi a canale P, basati su tecnologia Trench leader del settore firmata Nexperia. Con un valore nominale da 12 a 70 V e alloggiati in contenitori a bassa e media potenza, offrono la nostra nota combinazione di alta efficienza ed elevata affidabilità.MOSFET Trench a canale P doppio da 20 V. Transistor a effetto di campo (FET) in modalità potenziata a canale P doppio in un contenitore in plastica ultra-piccolo senza terminali DFN1010B-6 (SOT1216) per dispositivi a montaggio superficiale (SMD) che impiega la tecnologia MOSFET Trench.Bassa corrente di dispersione Tecnologia MOSFET Trench Contenitore in plastica SMD ultra-piccolo e ultra-sottile senza terminali: 1,1 x 1 x 0,37 mm Drenaggio esposto per uneccellente conduzione termica Protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD): > 1 kV HBM Resistenza in stato attivo drain-source RDSon = 1,02 mΩ Driver relè Driver di linea ad alta velocità Interruttore di carico high-side Circuiti di commutazione