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MOSFET Texas Instruments, canale N, 7,8 mΩ, 110 A, VSONP, Montaggio superficiale


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N. Articolo:
     3369E-1628145
Produttore:
     Texas Instruments
N. Art. Produtt.:
     CSD19531Q5AT
EAN/GTIN:
     5059042436341
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
MOSFET di potenza NexFET™ canale N, Texas Instruments
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
110 A
Tensione massima drain source:
100 V
Tipo di package:
VSONP
Serie:
NexFET
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
8
Resistenza massima drain source:
7,8 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
3.3V
Tensione di soglia gate minima:
2.2V
Dissipazione di potenza massima:
125 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
6.1mm
Altri termini di ricerca: SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, smd transistor, 1628145, Semiconduttori, Discreti, Texas Instruments, CSD19531Q5AT
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