IGBT STMicroelectronics, VCE 475 V, IC 25 A, canale N, DPAK

Questo IGBT specifico per ogni applicazione utilizza la tecnologia PowerMESH™ più avanzata ottimizzata per lazionamento delle bobine negli ambienti difficili dei sistemi di accensione automobilistici. Questi dispositivi mostrano una tensione molto bassa in stato attivo e unaltissima capacità di energia CSI su unampia gamma di temperature desercizio. Inoltre, l’ingresso gate di livello logico con protezione ESD e una resistenza gate integrata rendono superflui i circuiti di protezione esterna.Energia SCIS di 300 mJ a Tj = 25 °C Le parti sono testate al 100% in SCIS Protezione emettitore gate ESD Bloccaggio ad alta tensione collettore gate Stadio pilota livello logico Tensione di saturazione molto bassa Capacità di corrente di impulso elevata Resistenza gate ed emettitore gate