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Diodo STMicroelectronics, Su foro, 10A, 1200V, DO-247LL, Diodo Schottky
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pezzo
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N. Articolo:
3369E-1646968
Produttore:
ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
STPSC10H12WL
EAN/GTIN:
5059042062717
Termini di ricerca:
Diodi
Diodo
Raddrizzatori
Raddrizzatore
Il diodo SiC, disponibile in TO-220AC, DPAK HV, D²PAK e DO-247 LL, è un raddrizzatore di potenza Schottky a prestazioni ultraelevate. Viene prodotto utilizzando un substrato di carburo di silicio. La vasta gamma di materiale band-gap consente la progettazione di una struttura diodo Schottky a bassa VF con un valore nominale di 1200 V A causa della struttura Schottky non viene indicato un recupero allo spegnimento e i tipi di oscillazione sono trascurabili. Il comportamento allo spegnimento capacitivo minimo è indipendente dalla temperatura. Particolarmente adatto per luso nelle applicazioni PFC e lato secondario, questo diodo SiC ST potenzia le prestazioni in condizioni di commutazione difficili. Questo raddrizzatore migliora le prestazioni dellapplicazione interessata. La sua elevata resistenza ai picchi assicura unottima robustezza durante le fasi dei transientiNessun recupero inverso o trascurabile Comportamento di commutazione indipendente dalla temperatura Robusta periferia ad alta tensione Temperatura desercizio da -40 °C a 175 °C Bassa VF
Altre informazioni:
Tipo di montaggio:
Su foro
Tipo di package:
DO-247LL
Corrente massima continuativa di forward:
10A
Picco della tensione ripetitiva inversa:
1200V
Configurazione diodi:
Singolo
Rettificatore:
Diodo Schottky
Diodo:
SiC Schottky
Numero pin:
2
Caduta di tensione diretta massima:
2.25V
Numero di elementi per chip:
1
Tecnologia del diodo:
SiC Schottky
Corrente di picco su surge non ripetitiva:
420A
... >
Semiconduttori
>
Discreti
>
Diodi Schottky e rettificatori
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STPSC10H12WL
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