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Articolo
Diodo STMicroelectronics, Su foro, 10A, 650V, TO-220AC, Diodo Schottky
Quantità:
pacchetto
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N. Articolo:
3369E-1647015
Produttore:
ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
STPSC10065D
EAN/GTIN:
5059042162820
Termini di ricerca:
Diodi
Diodo
Diodo Schottky
diodo schottky
Il diodo SiC è diodo di potenza Schottky a prestazioni ultraelevate. Viene prodotto utilizzando un substrato di carburo di silicio. La vasta gamma di materiale band-gap consente la progettazione di una struttura diodo Schottky con un valore nominale di 650 V. A causa della struttura Schottky non viene indicato un recupero allo spegnimento e i tipi di oscillazione sono trascurabili. Il comportamento allo spegnimento capacitivo minimo è indipendente dalla temperatura. Particolarmente adatto per luso nelle applicazioni PFC, questo diodo SiC ST potenzia le prestazioni in condizioni di commutazione difficili. La sua elevata resistenza ai picchi assicura unottima robustezza durante le fasi dei transientiNessun recupero inverso o trascurabile Comportamento di commutazione indipendente dalla temperatura Dedicato alle applicazioni PFC Elevata capacità di sovracorrente in avanti Tj desercizio da -40 °C a 175 °C
Altre informazioni:
Tipo di montaggio:
Su foro
Tipo di package:
TO-220AC
Corrente massima continuativa di forward:
10A
Picco della tensione ripetitiva inversa:
650V
Configurazione diodi:
Singolo
Rettificatore:
Diodo Schottky
Diodo:
SiC Schottky
Numero pin:
2
Caduta di tensione diretta massima:
1.65V
Numero di elementi per chip:
1
Tecnologia del diodo:
SiC Schottky
Corrente di picco su surge non ripetitiva:
210A
... >
Semiconduttori
>
Discreti
>
Diodi Schottky e rettificatori
Altri termini di ricerca:
1647015
,
Semiconduttori
,
Discreti
,
Diodi Schottky e rettificatori
,
STMicroelectronics
,
STPSC10065D
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