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MOSFET Microchip, canale P, 10 Ω, 175 mA, TO-92, Su foro


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N. Articolo:
     3369E-1654216
Produttore:
     Microchip Technology
N. Art. Produtt.:
     TP2104N3-G
EAN/GTIN:
     5059040222908
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Transistor MOSFET con modalità potenziata a canale P Supertex. La gamma di transistor DMOS FET con modalità potenziata a canale P (normally-off) Supertex di Microchip è ideale per una vasta gamma di applicazioni di commutazione e amplificazione che richiedono una bassa tensione di soglia, un'elevata tensione di scarica distruttiva, alta impedenza di ingresso, bassa capacità di ingresso e rapida velocità di commutazione.
Altre informazioni:
Tipo di canale:
P
Corrente massima continuativa di drain:
175 mA
Tensione massima drain source:
40 V
Tipo di package:
TO-92
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
10 Ω
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
2V
Dissipazione di potenza massima:
740 mW
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
5.08mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: transistor di potenza, 1654216, Semiconduttori, Discreti, Microchip, TP2104N3G
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