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Transistor di potenza
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Articolo
IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 50 A, canale N, TO-247
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
3369E-1655770
Produttore:
Infineon
N. Art. Produtt.:
IGW25N120H3FKSA1
EAN/GTIN:
5059043058238
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
Transistor IGBT TrenchStop Infineon, da 1100 a 1600 V. Una gamma di transistor IGBT di Infineon con valori nominali della tensione collettore-emettitore da 1100 a 1600 V e dotati della tecnologia TrenchStop™. La gamma comprende dispositivi con un diodo integrato anti-parallelo ad alta velocità, a recupero rapido. Gamma di tensione del collettore-emettitore: da 1100 a 1600 V VCEsat molto bassa Poche perdite di spegnimento Bassa corrente di coda EMI ridotte Temperatura di giunzione massima: 175 °C
Altre informazioni:
Corrente massima continuativa collettore:
50 A
Tensione massima collettore emitter:
1200 V
Tensione massima gate emitter:
±20V
Dissipazione di potenza massima:
326 W
Tipo di package:
TO-247
Tipo di montaggio:
Su foro
Tipo di canale:
N
Numero pin:
3
Velocità di switching:
1MHz
Configurazione transistor:
Singolo
Dimensioni:
16.13 x 5.21 x 21.1mm
Massima temperatura operativa:
+175 °C
Minima temperatura operativa:
-40 °C
... >
Semiconduttori
>
Discreti
>
IGBT
Altri termini di ricerca:
Transistori
,
Transistore
,
transistor igbt
,
1655770
,
Semiconduttori
,
Discreti
,
IGBT
,
Infineon
,
IGW25N120H3FKSA1
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