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MOSFET Infineon, canale N, 250 mΩ, 1,5 A, SOT-323, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-1655863
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     BSS214NWH6327XTSA1
EAN/GTIN:
     5059043535357
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
MOSFET a segnale ridotto Infineon OptiMOS™
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
1,5 A
Tensione massima drain source:
20 V
Tipo di package:
SOT-323
Serie:
OptiMOS™
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
250 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
1.2V
Tensione di soglia gate minima:
0.7V
Dissipazione di potenza massima:
500 mW
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-12 V, +12 V
Lunghezza:
2mm
Altri termini di ricerca: 1655863, Semiconduttori, Discreti, Infineon, BSS214NWH6327XTSA1
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