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MOSFET Vishay, canale P, 500 mΩ, 6,8 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale


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N. Articolo:
     3369E-1656001
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     IRF9640STRLPBF
EAN/GTIN:
     5059040657250
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
MOSFET canale P, da 100V a 400V, Vishay Semiconductor
Altre informazioni:
Tipo di canale:
P
Corrente massima continuativa di drain:
6,8 A
Tensione massima drain source:
200 V
Tipo di package:
D2PAK (TO-263)
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
500 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate minima:
2V
Dissipazione di potenza massima:
125 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
10.67mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, transistor a effetto campo, 1656001, Semiconduttori, Discreti, Vishay, IRF9640STRLPBF
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