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Transistor di potenza
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Articolo
IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 75 A, canale N, TO-247AD
Quantità:
pacchetto
Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
3369E-1657632
Produttore:
Infineon
N. Art. Produtt.:
AUIRGP50B60PD1E
EAN/GTIN:
5059043457406
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
Transistor di potenza
Transistori
Transistore
IGBT in pacchetto combinato oltre 21 A, Infineon. I transistor bipolari a gate isolato (IGBT) di Infineon offrono all'utente una gamma completa di opzioni per un'ampia varietà di applicazioni. I valori nominali di elevata efficienza consentono di utilizzare questa gamma di IGBT in un ‘ampia varietà di applicazioni e di supportare varie frequenze di commutazione grazie alle perdite di commutazione ridotte. IGBT in pacchetto combinato con ripristino software ultraveloce e diodo anti-parallelo per l ‘uso in configurazioni a ponte
Altre informazioni:
Corrente massima continuativa collettore:
75 A
Tensione massima collettore emitter:
600 V
Tensione massima gate emitter:
±20V
Dissipazione di potenza massima:
390 W
Tipo di package:
TO-247AD
Tipo di montaggio:
Su foro
Tipo di canale:
N
Numero pin:
3
Velocità di switching:
150kHz
Configurazione transistor:
Singolo
Dimensioni:
15.87 x 5.31 x 20.7mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Minima temperatura operativa:
-55 °C
... >
Semiconduttori
>
Discreti
>
IGBT
Altri termini di ricerca:
transistor igbt
,
1657632
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Semiconduttori
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Discreti
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IGBT
,
Infineon
,
AUIRGP50B60PD1E
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