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MOSFET Infineon, canale N, 99 mΩ, 38 A, TO-247, Su foro


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-1658106
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IPW60R099C6FKSA1
EAN/GTIN:
     5059043201122
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
MOSFET di potenza Infineon CoolMOS™C6/C7
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
38 A
Tensione massima drain source:
650 V
Tipo di package:
TO-247
Serie:
CoolMOS™ C6
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
99 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
3.5V
Tensione di soglia gate minima:
2.5V
Dissipazione di potenza massima:
278 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-30 V, +30 V
Lunghezza:
16.13mm
Altri termini di ricerca: MOSFET di potenza, Transistor di potenza, MOSFET, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, 1658106, Semiconduttori, Discreti, Infineon, IPW60R099C6FKSA1
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Tipo
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N. Art. Produtt.
Prezzo
Accessori
BERGQUIST 3223-07FR-43 SIL-PAD, 400,.007 Zoll, TO-220,
Bergquist
3223-07FR-43
a partire da € 4,30*
Accessori
INFINEON 2EDN7524RXUMA1 Corrente di Source (Sorgente) 5 A Tipo di Interruttore
Infineon
2EDN7524RXUMA1
a partire da € 0,608*
Accessori
Modulo Driver gate 2EDN7523FXTMA1, 5 A, 20V, PG-DSO-8-60, 14-Pin
Infineon
2EDN7523FXTMA1
a partire da € 0,434*
Accessori
Modulo Driver gate 2EDN7524FXTMA1, 5 A, 20V, PG-DSO-8-60, 14-Pin
Infineon
2EDN7524FXTMA1
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