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IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 75 A, canale N, TO-247


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N. Articolo:
     3369E-1658178
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IKW40N120T2FKSA1
EAN/GTIN:
     5059043192567
Termini di ricerca:
Diodo a recupero rapido
Diodi a recupero rapido
Transistor IGBT
FET di giunzione
Transistor IGBT TrenchStop Infineon, da 1100 a 1600 V. Una gamma di transistor IGBT di Infineon con valori nominali della tensione collettore-emettitore da 1100 a 1600 V e dotati della tecnologia TrenchStop™. La gamma comprende dispositivi con un diodo integrato anti-parallelo ad alta velocità, a recupero rapido. Gamma di tensione del collettore-emettitore: da 1100 a 1600 V VCEsat molto bassa Poche perdite di spegnimento Bassa corrente di coda EMI ridotte Temperatura di giunzione massima: 175 °C
Altre informazioni:
Corrente massima continuativa collettore:
75 A
Tensione massima collettore emitter:
1200 V
Tensione massima gate emitter:
±20V
Dissipazione di potenza massima:
480 W
Tipo di package:
TO-247
Tipo di montaggio:
Su foro
Tipo di canale:
N
Numero pin:
3
Velocità di switching:
1MHz
Configurazione transistor:
Singolo
Dimensioni:
16.13 x 5.21 x 21.1mm
Classe di efficienza energetica:
8.3mJ
Capacità del gate:
2360pF
Massima temperatura operativa:
+175 °C
Minima temperatura operativa:
-40 °C
Altri termini di ricerca: Transistor, Transistor di potenza, Transistori, Transistore, transistor igbt, 1658178, Semiconduttori, Discreti, IGBT, Infineon, IKW40N120T2FKSA1
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