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MOSFET Nexperia, canale N, 31 mΩ, 5,1 A, TSOP-6, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-1659769
Produttore:
     Nexperia
N. Art. Produtt.:
     PMN35EN,115
EAN/GTIN:
     5059043124698
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
MOSFET a canale N, fino a 30 V.
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
5,1 A
Tensione massima drain source:
30 V
Tipo di package:
TSOP-6
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
6
Resistenza massima drain source:
31 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
2.5V
Tensione di soglia gate minima:
1V
Dissipazione di potenza massima:
4,17 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
3.1mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Altri termini di ricerca: 1659769, Semiconduttori, Discreti, Nexperia, PMN35EN,115
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