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MOSFET Infineon, canale N, 2,8 mΩ, 120 A, TO-220, Su foro


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-1660985
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IPP023N10N5AKSA1
EAN/GTIN:
     5059043299167
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
MOSFET di potenza Infineon OptiMOS™5
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
120 A
Tensione massima drain source:
100 V
Tipo di package:
TO-220
Serie:
OptiMOS™ 5
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
2,8 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
3.8V
Tensione di soglia gate minima:
2.2V
Dissipazione di potenza massima:
375 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
10.36mm
Altri termini di ricerca: 1660985, Semiconduttori, Discreti, Infineon, IPP023N10N5AKSA1
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