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MOSFET onsemi, canale N, 190 mΩ, 20 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale


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N. Articolo:
     3369E-1661748
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FCB20N60TM
EAN/GTIN:
     5059042072402
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
MOSFET di potenza
Transistor di potenza
MOSFET a canale N SuperFET® e SuperFET® II, Fairchild Semiconductor. Fairchild ha aggiunto ai propri prodotti la famiglia di MOSFET di potenza ad alta tensione SuperFET® II che utilizza la Tecnologia Super Junction. Offre un diodo integrato dalle prestazioni solide e migliori della categoria nelle applicazioni con alimentatori switching c.a.-c.c. come server, telecomunicazioni, informatica, alimentatori industriali, UPS/ESS, inverter solari, applicazioni di illuminazione, che richiedono un'elevata densità di potenza, efficienza del sistema e affidabilità. Grazie a un'avanzata tecnologia di bilanciamento della carica, i progettisti possono realizzare soluzioni più efficienti e ad alte prestazioni che richiedono meno spazio su scheda e migliorano l'affidabilità.
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
20 A
Tensione massima drain source:
600 V
Tipo di package:
D2PAK (TO-263)
Serie:
SuperFET
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
190 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate minima:
3V
Dissipazione di potenza massima:
208 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-30 V, +30 V
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: MOSFET, transistor a effetto campo, 1661748, Semiconduttori, Discreti, onsemi, FCB20N60TM
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