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MOSFET onsemi, canale P, 70 mΩ, 27 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale


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N. Articolo:
     3369E-1661749
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FQB27P06TM
EAN/GTIN:
     5059042287776
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Modalità di miglioramento MOSFET a canale P, on Semiconductor. La gamma di MOSFET a canale P di Semiconductors viene prodotta utilizzando la tecnologia DMOS proprietaria ON Semi ad alta densità di celle. Questo processo ad altissima densità è stato progettato per ridurre al minimo la resistenza allo stato di accensione per fornire prestazioni robuste e affidabili per una commutazione veloce. Caratteristiche e vantaggi:. Interruttore piccolo segnale P-Channel a tensione controllata Progettazione celle ad alta densità Corrente di saturazione elevata Commutazione superiore Prestazioni robuste e affidabili Tecnologia DMOS. Applicazioni:. Commutazione del carico Convertitore DC/DC Protezione della batteria Controllo della gestione dell'alimentazione Comando motore DC
Altre informazioni:
Tipo di canale:
P
Corrente massima continuativa di drain:
27 A
Tensione massima drain source:
60 V
Tipo di package:
D2PAK (TO-263)
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
70 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate minima:
2V
Dissipazione di potenza massima:
3,75 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-25 V, +25 V
Lunghezza:
10.67mm
Massima temperatura operativa:
+175 °C
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, transistor a effetto campo, 1661749, Semiconduttori, Discreti, onsemi, FQB27P06TM
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