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MOSFET onsemi, canale N, 39 mΩ, 6,1 A, SOT-23, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-1663629
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FDC855N
EAN/GTIN:
     5059042525410
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
MOSFET a canale N PowerTrench® fino a 9,9A, Fairchild Semiconductor
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
6,1 A
Tensione massima drain source:
30 V
Tipo di package:
SOT-23
Serie:
PowerTrench
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
6
Resistenza massima drain source:
39 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate minima:
1V
Dissipazione di potenza massima:
1,6 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
3mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Altri termini di ricerca: SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, smd transistor, 1663629, Semiconduttori, Discreti, onsemi, FDC855N
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