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Articolo
MOSFET IXYS, canale N, 49 mΩ, 82 A, SOT-227, Montaggio a vite
Quantità:
pezzo
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N. Articolo:
3369E-1684752
Produttore:
IXYS
N. Art. Produtt.:
IXFN100N50Q3
EAN/GTIN:
5059041333221
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
MOSFET di potenza a canale N, serie HiperFET™ Q3 IXYS. I MOSFET di potenza HiperFET™ della classe IXYS Q3 sono adatti sia alle applicazioni con modalità hard switching sia di risonanza, e offrono una carica di gate bassa con eccezionale robustezza. I dispositivi sono dotati di un diodo intrinseco rapido e sono disponibili in una varietà di contenitori standard industriali, inclusi i tipi isolati con valori nominali di fino a 1100 V e 70 A. Tra le applicazioni rientrano: convertitori cc-cc, caricabatterie, alimentatori di risonanza e switching, chopper cc, controllo dell'illuminazione e della temperatura. Diodo raddrizzatore intrinseco rapido RDS(on) e QG (carica gate) ridotti Bassa resistenza di gate intrinseca Contenitori conformi allo standard industriale Contenitore a bassa induttanza Alta densità di potenza
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
82 A
Tensione massima drain source:
500 V
Tipo di package:
SOT-227
Serie:
HiperFET, Q3-Class
Tipo di montaggio:
Montaggio a vite
Numero pin:
4
Resistenza massima drain source:
49 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
6.5V
Dissipazione di potenza massima:
960 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-30 V, +30 V
Lunghezza:
38.23mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
... >
Semiconduttori
>
Discreti
>
Mosfet
Altri termini di ricerca:
transistor di potenza
,
1684752
,
Semiconduttori
,
Discreti
,
IXYS
,
IXFN100N50Q3
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