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Articolo
MOSFET IXYS, canale N, 145 mΩ, 22 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale
Quantità:
pezzo
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N. Articolo:
3369E-1684819
Produttore:
IXYS
N. Art. Produtt.:
IXFA22N65X2
EAN/GTIN:
5059041345101
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
MOSFET di potenza a canale N, HiPerFET™ serie IXYS X2. La serie di MOSFET di potenza HiPerFET classe X2 IXYS offre una carica significativamente ridotta su resistenza e di gate rispetto alle precedenti generazioni di MOSFET di potenza, per minori perdite e una maggiore efficienza operativa. Questi robusti dispositivi incorporano un diodo intrinseco migliorato ad alta velocità e sono adatti per le applicazioni sia con modalità di commutazione hard che di risonanza. I MOSFET di potenza di classe X2 sono disponibili in una varietà di contenitori standard industriali, inclusi i tipi isolati con valori nominali fino a 120 A a 650 V. Le applicazioni tipiche includono: convertitori c.c./c.c., azionamenti per motori c.a e c.c., alimentatori switching e con modalità di risonanza, chopper c.c., inverter solari, controllo della temperatura e dell'illuminazione. RDS(on) e QG (carica gate) molto ridotti Diodo raddrizzatore intrinseco rapido Bassa resistenza di gate intrinseca Contenitore a bassa induttanza Contenitori conformi allo standard industriale
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
22 A
Tensione massima drain source:
650 V
Tipo di package:
D2PAK (TO-263)
Serie:
HiperFET, X2-Class
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
145 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
5V
Tensione di soglia gate minima:
2.7V
Dissipazione di potenza massima:
390 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-30 V, +30 V
Lunghezza:
10.41mm
... >
Semiconduttori
>
Discreti
>
Mosfet
Altri termini di ricerca:
Transistor di potenza
,
MOSFET
,
SMD transistor
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Transistor SMD
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Transistori
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Transistore
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,
1684819
,
Semiconduttori
,
Discreti
,
IXYS
,
IXFA22N65X2
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