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IGBT Toshiba, VCE 600 V, IC 20 A, canale N, TO-220SIS


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-1687764
Produttore:
     Toshiba
N. Art. Produtt.:
     GT20J341
EAN/GTIN:
     5059041371827
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
Transistor di potenza
Transistori
Transistore
IGBT Discreti, Toshiba
Altre informazioni:
Corrente massima continuativa collettore:
20 A
Tensione massima collettore emitter:
600 V
Tensione massima gate emitter:
±25V
Dissipazione di potenza massima:
45 W
Tipo di package:
TO-220SIS
Tipo di montaggio:
Su foro
Tipo di canale:
N
Numero pin:
3
Velocità di switching:
100kHz
Configurazione transistor:
Singolo
Dimensioni:
10 x 4.5 x 15mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Altri termini di ricerca: transistor igbt, 1687764, Semiconduttori, Discreti, IGBT, Toshiba, GT20J341
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