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IGBT Toshiba, VCE 600 V, IC 50 A, canale N, TO-3P


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Informazioni sul prodotto
Product Image
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N. Articolo:
     3369E-1687767
Produttore:
     Toshiba
N. Art. Produtt.:
     GT50JR21
EAN/GTIN:
     5059041359245
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
Transistor di potenza
Transistori
Transistore
IGBT Discreti, Toshiba
Altre informazioni:
Corrente massima continuativa collettore:
50 A
Tensione massima collettore emitter:
600 V
Tensione massima gate emitter:
±25V
Dissipazione di potenza massima:
230 W
Tipo di package:
TO-3P
Tipo di montaggio:
Su foro
Tipo di canale:
N
Numero pin:
3
Velocità di switching:
1MHz
Configurazione transistor:
Singolo
Dimensioni:
15.5 x 4.5 x 20mm
Massima temperatura operativa:
+175 °C
Altri termini di ricerca: transistor igbt, 1687767, Semiconduttori, Discreti, IGBT, Toshiba, GT50JR21
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