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MOSFET Infineon, canale N, 600 mΩ, 7,3 A, IPAK (TO-251), Su foro


Quantità:  pacchetto  
Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-1688581
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     SPU07N60C3BKMA1
EAN/GTIN:
     5059043165035
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
MOSFET di potenza Infineon CoolMOS™C3
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
7,3 A
Tensione massima drain source:
650 V
Tipo di package:
IPAK (TO-251)
Serie:
CoolMOS™ C3
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
600 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
2.9V
Tensione di soglia gate minima:
2.1V
Dissipazione di potenza massima:
83 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-30 V, +30 V
Lunghezza:
6.73mm
Altri termini di ricerca: 1688581, Semiconduttori, Discreti, Infineon, SPU07N60C3BKMA1
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