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MOSFET Infineon, canale N, 200 mΩ, 3 A, SOIC, Montaggio superficiale


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N. Articolo:
     3369E-1688757
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IRF7103TRPBF
EAN/GTIN:
     5059043346939
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
MOSFET di potenza
Transistor di potenza
MOSFET di potenza a canale N da 55 V, Infineon. La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminali e fattori di forma adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
3 A
Tensione massima drain source:
50 V
Tipo di package:
SOIC
Serie:
HEXFET
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
8
Resistenza massima drain source:
200 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
3V
Tensione di soglia gate minima:
1V
Dissipazione di potenza massima:
2 W
Configurazione transistor:
Isolato
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
5mm
Altri termini di ricerca: MOSFET, SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, smd transistor, 1688757, Semiconduttori, Discreti, Infineon, IRF7103TRPBF
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