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Transistor a effetto campo
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Articolo
MOSFET Nexperia, canale N, 8,4 mΩ, 191 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale
Quantità:
pacchetto
Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
3369E-1704859
Produttore:
Nexperia
N. Art. Produtt.:
BUK964R2-55B,118
EAN/GTIN:
5059043815848
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Dall’attivazione di una semplice lampadina alle esigenze sofisticate di controllo della potenza in motori, corpi o telai, i semiconduttori di potenza Nexperia possono offrire la risposta a molti problemi di alimentazione nei sistemi automobilistici.Adatto per gli ambienti più difficili grazie alla temperatura nominale 175 °C nominale Applicazioni MOSFET: gestione servosterzo elettrico, generatore di avviamento integrato, controllo della trasmissione, sistema antibloccaggio (ABS), controllo climatizzazioneTransistor a effetto di campo (FET) in modalità potenziata a canale N di livello logico in contenitore in plastica che impiega la tecnologia TrenchMOS. Questo prodotto è stato progettato per luso in applicazioni critiche del settore automobilistico.Basse perdite di conduzione grazie a una bassa resistenza in stato attivo Adatto per sorgenti a stadio pilota livello logico Idoneità per gli ambienti più difficili grazie alla temperatura nominale di 175 °C Carichie da 12 V e 24 V Sistemi per uso automobilistico Commutazione di potenza per impieghi generali Motori, lampade e solenoidi
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
191 A
Tensione massima drain source:
55 V
Tipo di package:
D2PAK (TO-263)
Serie:
BUK964R2
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
8,4 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
2.3V
Tensione di soglia gate minima:
0.5V
Dissipazione di potenza massima:
300 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
15 V
Lunghezza:
10.3mm
... >
Semiconduttori
>
Discreti
>
Mosfet
Altri termini di ricerca:
transistor a effetto campo
,
1704859
,
Semiconduttori
,
Discreti
,
Nexperia
,
BUK964R255B,118
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