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MOSFET onsemi, canale N, 8,8 mΩ, 71 A, DFN, Montaggio superficiale


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N. Articolo:
     3369E-1718331
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     NVMFS5C670NLWFAFT1G
EAN/GTIN:
     5059042161670
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 71 A
Tensione massima drain source = 60 V
Serie = NVMFS5C670NL
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 5
Resistenza massima drain source = 8,8 mΩ
Modalità del canale = Enhancement
Tensione di soglia gate massima = 2V
Tensione di soglia gate minima = 1.2V
Dissipazione di potenza massima = 61 W
Configurazione transistor = Singolo
Tensione massima gate source = ±20 V
Numero di elementi per chip = 1mm
Minima temperatura operativa = -55 °CV
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
71 A
Tensione massima drain source:
60 V
Tipo di package:
DFN
Serie:
NVMFS5C670NL
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
5
Resistenza massima drain source:
8,8 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
2V
Tensione di soglia gate minima:
1.2V
Dissipazione di potenza massima:
61 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
±20 V
Lunghezza:
6.1mm
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, 1718331, Semiconduttori, Discreti, onsemi, NVMFS5C670NLWFAFT1G
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