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MOSFET onsemi, canale N, 5,8 mΩ, 111 A, DFN, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-1723293
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     NVMFD5C650NLWFT1G
EAN/GTIN:
     5059042162394
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 111 A
Tensione massima drain source = 60 V
Serie = NVMFD5C650NL
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 8
Resistenza massima drain source = 5,8 mΩ
Modalità del canale = Enhancement
Tensione di soglia gate massima = 2.2V
Tensione di soglia gate minima = 1.2V
Dissipazione di potenza massima = 125 W
Tensione massima gate source = ±20 V
Larghezza = 5.1mm
Altezza = 1.05mm
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
111 A
Tensione massima drain source:
60 V
Tipo di package:
DFN
Serie:
NVMFD5C650NL
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
8
Resistenza massima drain source:
5,8 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
2.2V
Tensione di soglia gate minima:
1.2V
Dissipazione di potenza massima:
125 W
Tensione massima gate source:
±20 V
Lunghezza:
6.1mm
Massima temperatura operativa:
+175 °C
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, 1723293, Semiconduttori, Discreti, onsemi, NVMFD5C650NLWFT1G
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