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MOSFET onsemi, canale N, 23 mΩ, 75 A, TO-247, Su foro


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-1724612
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FCH023N65S3-F155
EAN/GTIN:
     5059042295351
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 75 A
Tensione massima drain source = 650 V
Serie = FCH023N65S3
Tipo di montaggio = Su foro
Numero pin = 3
Resistenza massima drain source = 23 mΩ
Modalità del canale = Enhancement
Tensione di soglia gate massima = 4.5V
Tensione di soglia gate minima = 2.5V
Dissipazione di potenza massima = 595 W
Configurazione transistor = Singolo
Tensione massima gate source = ±30 V
Larghezza = 4.82mm
Altezza = 20.82mm
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
75 A
Tensione massima drain source:
650 V
Tipo di package:
TO-247
Serie:
FCH023N65S3
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
23 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
4.5V
Tensione di soglia gate minima:
2.5V
Dissipazione di potenza massima:
595 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
±30 V
Lunghezza:
15.87mm
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, 1724612, Semiconduttori, Discreti, onsemi, FCH023N65S3F155
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Accessori
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FK245MI247V
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