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Transistor di potenza
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Articolo
MOSFET onsemi, canale N, 23 mΩ, 75 A, TO-247-4, Su foro
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
3369E-1724616
Produttore:
onsemi
N. Art. Produtt.:
FCH023N65S3L4
EAN/GTIN:
5059042531749
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 75 A
Tensione massima drain source = 650 V
Tipo di package = TO-247-4
Tipo di montaggio = Su foro
Numero pin = 4
Resistenza massima drain source = 23 mΩ
Modalità del canale = Enhancement
Tensione di soglia gate massima = 4.5V
Tensione di soglia gate minima = 2.5V
Dissipazione di potenza massima = 595 W
Configurazione transistor = Singolo
Tensione massima gate source = ±30 V
Larghezza = 5.2mm
Altezza = 22.74mm
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
75 A
Tensione massima drain source:
650 V
Tipo di package:
TO-247-4
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
4
Resistenza massima drain source:
23 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
4.5V
Tensione di soglia gate minima:
2.5V
Dissipazione di potenza massima:
595 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
±30 V
Lunghezza:
15.8mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
... >
Semiconduttori
>
Discreti
>
Mosfet
Altri termini di ricerca:
1724616
,
Semiconduttori
,
Discreti
,
onsemi
,
FCH023N65S3L4
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