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Transistor di potenza
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Articolo
MOSFET Microchip, canale P, 35 Ω, 160 mA, SOT-89, Montaggio superficiale
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
3369E-1779709
Produttore:
Microchip Technology
N. Art. Produtt.:
VP2450N8-G
EAN/GTIN:
n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Tipo di canale = P
Corrente massima continuativa di drain = 160 mA
Tensione massima drain source = 500 V
Serie = VP2450
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 3
Resistenza massima drain source = 35 Ω
Modalità del canale = Enhancement
Tensione di soglia gate massima = 3.5V
Tensione di soglia gate minima = 1.5V
Dissipazione di potenza massima = 1,6 W
Configurazione transistor = Singolo
Tensione massima gate source = 20 V
Larghezza = 2.6mm
Altezza = 1.6mm
Altre informazioni:
Tipo di canale:
P
Corrente massima continuativa di drain:
160 mA
Tensione massima drain source:
500 V
Tipo di package:
SOT-89
Serie:
VP2450
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
35 Ω
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
3.5V
Tensione di soglia gate minima:
1.5V
Dissipazione di potenza massima:
1,6 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
20 V
Lunghezza:
4.6mm
... >
Semiconduttori
>
Discreti
>
Mosfet
Altri termini di ricerca:
transistor di potenza
,
1779709
,
Semiconduttori
,
Discreti
,
Microchip
,
VP2450N8G
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