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Transistor di potenza
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Articolo
MOSFET Microchip, canale N, 7,5 Ω, 310 mA, TO-92, Su foro
Quantità:
pacchetto
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N. Articolo:
3369E-1779716
Produttore:
Microchip Technology
N. Art. Produtt.:
VN10KN3-G
EAN/GTIN:
5059045476740
Termini di ricerca:
Relè di alta potenza
Relè alto rendimiento
Transistor di potenza
MOSFET
MOSFET con Microchip TechnologyIl MOSFET a canale N con montaggio a foro passante Microchip Technology è un nuovo prodotto AGE con una resistenza drain-source di 5ohms a una tensione gate-source di 10V. Ha una tensione drain-source di 60V e una tensione gate-source massima di 30V. Ha una corrente di drain continua di 310mA e una dissipazione di potenza massima di 1W. La tensione di pilotaggio minima e massima per questo transistore sono rispettivamente 5V e 10V. Il MOSFET è un transistor in modalità di miglioramento (normalmente spento) che utilizza una struttura DMOS verticale e un processo di produzione di gate in silicio ben collaudato. Questa combinazione produce un dispositivo con le funzionalità di gestione dellalimentazione dei transistor bipolari, con alta impedenza di ingresso e coefficiente di temperatura positivo intrinseco nei dispositivi MOS. Caratteristica significativa di tutte le strutture MOS, questo dispositivo è privo di breakdown secondari termici e indotti termicamente. Questo DMOS FET verticale è stato ottimizzato per minori perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre uneccellente efficienza insieme a una lunga e produttiva durata senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.Caratteristiche e vantaggi• Facilità di messa in parallelo • Stabilità termica eccellente • esente da guasti secondari • elevata impedenza di ingresso e guadagno elevato • diodo di scarico sorgente Integrato • bassa CISS e velocità di commutazione elevate • requisiti di azionamento a bassa potenza • la temperatura Di Esercizio è compresa tra -55°C e 150°C.ApplicationsAmplificatori • • Convertitori • driver (relè, martelli, solenoidi, lampade, memorie, display, transistor bipolari, ecc.) • comandi del motore • circuiti di alimentazione • InterruttoriCertificazioni• ANSI/ESD S20.20:2014 • bs en 61340-5-1:2007 • JEDEC
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
310 mA
Tensione massima drain source:
60 V
Tipo di package:
TO-92
Serie:
VN10K
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
7,5 Ω
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
2.5V
Tensione di soglia gate minima:
0.8V
Dissipazione di potenza massima:
1 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
30 V
Lunghezza:
5.08mm
... >
Semiconduttori
>
Discreti
>
Mosfet
Altri termini di ricerca:
Relè MOSFET
,
relè mosfet
,
1779716
,
Semiconduttori
,
Discreti
,
Microchip
,
VN10KN3G
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