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Articolo
MOSFET Microchip, Su foro
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pacchetto
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N. Articolo:
3369E-1779861
Produttore:
Microchip Technology
N. Art. Produtt.:
TP0606N3-G
EAN/GTIN:
5059045479161
Termini di ricerca:
MOSFET
Questo transistor (normalmente inattivo) a bassa soglia in modalità potenziata utilizza una struttura DMOS verticale e un consolidato processo di produzione di gate di silicio. Questa combinazione produce un dispositivo con le funzionalità di gestione dellalimentazione dei transistor bipolari, con alta impedenza di ingresso e coefficiente di temperatura positivo intrinseco nei dispositivi MOS. Come tutte le strutture MOS, questo dispositivo è privo di instabilità termica e di scarica secondaria indotta termicamente. I DMOS FET verticali sono ideali per una vasta gamma di applicazioni di commutazione e amplificazione che richiedono una tensione di soglia molto bassa, unelevata tensione di scarica, un’elevata impedenza di ingresso, una bassa capacità di ingresso e rapidità di commutazione.Bassa soglia di - 2 V max. Elevata impedenza di ingresso Bassa capacità di ingresso di - 100 pF Velocità elevata di commutazione Bassa resistenza in stato attivo Privi di scarica secondaria Bassa dispersione in ingresso e in uscita
Altre informazioni:
Tipo di montaggio:
Su foro
... >
Semiconduttori
>
Discreti
>
Mosfet
Altri termini di ricerca:
1779861
,
Semiconduttori
,
Discreti
,
Microchip
,
TP0606N3G
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